IPL65R190E6AUMA1
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | IPL65R190E6AUMA1 |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 650V 20.2A 4VSON |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 700µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-VSON-4 |
Serie | CoolMOS™ E6 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 7.3A, 10V |
Verlustleistung (max) | 151W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | 4-PowerTSFN |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1620 pF @ 100 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 73 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 20.2A (Tc) |
Grundproduktnummer | IPL65R |
IPL65R190E6AUMA1 Einzelheiten PDF [English] | IPL65R190E6AUMA1 PDF - EN.pdf |
IPL65R190 - 650V AND 700V COOLMO
IPL65R1K5 - 650V AND 700V COOLMO
MOSFET N-CH 650V 3A THIN-PAK
MOSFET N-CH 650V 4.2A THIN-PAK
IPL65R190E6 INFINEON
COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE
Infineon 4VSON
COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE
MOSFET N-CH 650V 21.3A 4VSON
IPL65R130C7 INFINEON
MOSFET N-CH 650V 21.3A 4VSON
INFINEON VSON-4
MOSFET N-CH 650V 16.6A 4VSON
IPL65R195C7 INFINEON
IPL65R1K5C6S INFINEON
COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE
Infineon QFN
COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE
MOSFET N-CH 650V 12A 4VSON
MOSFET N-CH 650V 15A 4VSON
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() IPL65R190E6AUMA1Infineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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